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ALD保護膜沉積

原子層沉積技術原理

●  ALD(單原子層沉積)原理是二種反應氣體交替反應,每一次只有一種反應物在表面形成單原子層,多余的反應物被purge氣體排出反應腔;

●  根據ALD反應機理,薄膜是單原子層二維生長,因此制備的材料質量高、均勻度好。

 

LED Al2O3 ALD沉積工藝

●  ALD方法鍍膜,晶體質量高,覆蓋性好,特別是對LED側壁有很好的保護

●  Al2O3 比SiO2介電常數更高,絕緣保護性能更好, 透水率低,可以取代PECVD SiO2 作爲芯片的封裝層,提高芯片出光效率和潮濕環境下的可靠性

●  ALD AlN可以用于GaN LED 生長的緩沖層,提高LED的性能和産能